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武汉真空闭循环高低温探针台

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商品信息

 真空闭循环高低温探针台是一种集成真空环境、闭循环温控及精密探针测试功能的高端设备,广泛应用于半导体、材料科学及量子技术领域。

 
一、核心功能与技术特性
真空闭循环系统
真空度:系统极限真空优于5×10⁻⁶Pa,漏率≤1×10⁻¹⁰Pa·m³/s,有效隔绝空气、水汽等干扰因素,避免测试过程中氧化、漏电等问题。
闭循环温控:采用液氮制冷(****至4K)与电阻加热(****至870K)技术,支持150K至870K宽温区稳定运行,温度波动≤±0.5mK,确保测试数据一致性。
高精度探针测试系统
探针臂设计:外置多探针臂(如6探针臂接口),X-Y-Z三方向移动行程25.4mm,定位精度达10μm,支持探针****直径0.5μm至20μm的微纳操作。
信号兼容性:兼容IV/CV/RF测试,支持DC至67GHz频段,配备BNC/三轴/SMA等接口,满足高频、高精度信号传输需求。
光学显微与成像系统
显微镜:放大倍数15X至400X,工作距离70-100mm,配备LED环形光源(亮度无级可调),支持实时观察探针与样品交互过程。
工业相机:500万像素,分辨率2μm,可实现图像显示、拍摄及录像功能,辅助定位与分析。
二、典型应用场景
半导体器件测试
硅光子芯片:在真空环境下模拟-40℃至150℃全温区工作条件,测试光电器件的电光转换效率、热稳定性及可靠性。
量子芯片:在4K极低温下测试量子比特的相干时间(T1/T2)与门操作保真度,评估量子计算芯片的性能。
材料科学研究
超导材料:在77K至室温范围内测量超导转变温度(Tc)、临界电流密度(Jc)及磁通钉扎特性,优化超导材料制备工艺。
二维材料:评估石墨烯、MoS₂等材料在真空环境下的载流子迁移率、光电响应及界面特性,推动柔性电子器件研发。
失效分析与可靠性验证
功率半导体:在300℃高温下测试SiC MOSFET的动态导通电阻、雪崩能量及栅氧可靠性,验证器件在极端环境下的长期稳定性。
封装器件:通过霍尔测试分析封装材料对载流子传输的影响,优化封装工艺,提升器件电学性能。
三、选型与使用建议
核心参数匹配
温度范围:根据测试需求选择,如量子计算需支持4K,功率半导体需覆盖300℃以上高温。
真空度:超导材料测试需极限真空优于1×10⁻⁶Pa,常规半导体测试5×10⁻⁵Pa即可满足需求。
探针精度:纳米器件测试需探针****直径≤1μm,定位精度≤5μm;高频测试需支持67GHz频段。
系统扩展性
接口兼容性:确认设备是否支持BNC、三轴、SMA等多种接口,适配不同测试仪器。
模块化设计:优先选择支持探针臂、探针夹具、显微镜等模块独立升级的设备,降低长期使用成本。
操作与维护要点
真空维护:定期检查真空泵油位及密封圈状态,测试后用分子泵抽真空至1×10⁻⁴Pa以下,防止氧化。
温度校准:每季度使用标准温度计校准样品台温度,误差需控制在±0.2℃以内。
探针更换:探针磨损或氧化后需及时更换,避免接触电阻增大影响测试精度。
 
技术参数:
高真空度,真空度:5×10-5 Pa
高精度温控系统,自动冷媒流量控制,4 K -325  K 或10K到400K温度,温度区间内**控制样品台温度
防辐射屏设计,保证样品温度均匀
兼容高倍显微镜
采用氦气压缩机制冷
陶瓷刀片探针,更低的漏电精度
可加载磁场,可加高频,可集成高压,光纤等等测试
 

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供应商档案

武汉理化仪器有限公司
会员类型: 星级
所在地区: 不限
企业认证: 认证商家
主营产品: 高温烘房,高温烘箱,高温老化房,步入式恒温房 新能源老化柜 展开全部
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