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武汉盒式真空高低温探针台
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商品信息

 微型盒式真空高低温探针台是一种集成化测试设备，专为半导体、材料科学及微纳器件研发设计，可在真空及极端温度条件下实现高精度电学性能测试。

 
一、核心功能与结构特点
真空环境控制
通过机械泵与分子泵组合，实现高真空度（<5×10⁻³Pa），有效抑制氧化、热噪声及空气干扰，确保测试数据准确性。
适用于易氧化材料（如钙钛矿薄膜）或高频器件（如5G PA芯片）的测试。
高低温循环能力
温度范围：支持-196℃（液氮制冷）至+400℃（电阻加热），满足硅光子芯片、超导材料等在不同温区的性能测试需求。
变温速率：高温区升温速率达100℃/min，低温区降温速率7℃/min，可模拟芯片在实际工作环境中的快速温度变化。
微型化与模块化设计
紧凑结构：腔体内尺寸127mm×57mm×20mm，重量约1.5kg（不锈钢材质），适配实验室桌面空间。
分体式探针模块：探针部分可独立拆卸，支持辐照实验或三温测试（常温/高温/低温）。
二、关键技术参数
参数 指标
真空度 机械泵：≤5Pa（5分钟）；分子泵：≤5×10⁻³Pa（30分钟）
温度范围 -196℃至+400℃
温度控制精度 ±0.5℃
探针移动精度 X/Y轴：±5μm；Z轴：≤50μm（手动螺纹调节）
探针数量 4探针（可扩展至5探针）
探针材质与尺寸 镀金钨针，****直径10μm
信号接口 BNC/三同轴/SMA接头，支持IV/CV/RF测试
屏蔽性能 配合铝制屏蔽盒，抗干扰能力提升
 
三、典型应用场景
半导体器件测试
射频芯片：在67GHz频段下测试功率放大器（PA）的S参数与输出功率，评估其在高温/低温环境下的可靠性。
功率半导体：测试SiC MOSFET在10kV高压、300℃高温下的动态导通电阻与雪崩能量。
材料科学研究
超导材料：在4K至室温范围内测量超导转变温度（Tc）与临界电流密度（Jc）。
二维材料：评估石墨烯、MoS₂等材料在真空环境下的载流子迁移率与光电响应。
失效分析与可靠性验证
量子芯片：在10mK极低温下测试量子比特的相干时间（T1/T2）与门操作保真度。
汽车电子：模拟-40℃至150℃全温区环境，验证AEC-Q100 Grade 0芯片的ESD耐受性与TDDB击穿特性。

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供应商档案

武汉理化仪器有限公司
会员类型： 星级
所在地区： 不限
企业认证： 认证商家
主营产品： 高温烘房，高温烘箱，高温老化房，步入式恒温房 新能源老化柜 展开全部
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